(2) PIN光电二极管结构如图5.6所示，当然，仅是理想化的。事实上，i-Si层有一些微型杂质。例如, 如果夹心层是少量的N型掺杂就标记为V-层并且结构是P+VN+。夹心v-层变成一个带有低浓度阴性材料的耗尽层。那么光电二极管横截面场就不是完全均匀的。P+V结场最大，V-Si层截面到N+一边轻微下降。作为一个近似值我们还要考虑I-Si 层.
