功率MOSFET可分为N沟道和P沟道两种类型，目前使用最多的是N沟道增强型MOSFET。
由于功率MOSFET的特殊结构，其具有极高的输入阻抗，再静电较强的场合难以泄放电荷，易引起静电击穿。所以在运输，存放，焊接，测试一定要采取必要的保护措施。
实际应用中常对功率MOSFET的栅极过电压与漏源极过电压进行保护，如RC吸收浪涌电压，在感性负载上并联二极管VD。MOSFET的过电流保护由电流互感器CT检测过电流，从而切断MOSFET的栅极信号，也可用电阻或霍尔元件替代CT。
功率MOSFET适用于并联运行，并联时应注意以下几个方面。
1/并联功率MOSFET的各栅极分别用电阻分开，栅极电路的输出电阻应小于串入电阻值
2/在每个栅极引线上设置铁氧体磁环，即在导线上套一小磁环形成有损耗阻尼环节
3/必要时在每个器件的漏栅之间接入几百PF的小电容以改变耦合电压的相位关系
4/在源极接入适当的电感
5/精心布局，使器件尽量做到完美对称，连线尽量相等，并且尽量减短加粗，尽可能用多股绞线
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