P沟道的管子使用的时候你只需要记住几件事情：
当栅极（G）的电压比漏极的电压(D)小5V以上（有的管子可以更低），管子就开始导通，压差越大，G和S（源极）之间的电阻就越小，损耗也就越小，但是不能太大。
还有一件事情就是G和S之间的最大耐压，元器件手册上有说明。
最后就是G和S之间容许通过的最大电流，这个元器件手册上写的也很清楚。
说的够明白了。
首先，你的MOS管是耗尽型。因此当你的VGS电压为0V时，管子导通。一楼说错了，大家别学他。这个原理是：在制作管子的时候，导电沟已经做好了。当VGS有负电压时，即VGS小于0V，那么管子由导通开始慢慢变的截止。至于什么时候截止，看你的VGS电压是多少。比如VGS=-5V时，管子截止（具体参数看你用的这个MOS管数据手册）。
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