一般霍尔元件灵敏度是0.1~0.5mV/(mA.G)之间。
早在1879年人们就在金属中发现了霍尔效应,1910年就有人用铋制成了霍尔元件,用以测量磁场。但由于这种效应在金属中十分微弱,当时并没有引起什么重视。
1948年后,由于半导体技术的迅速发展,人们找到了霍尔效应较为显著的半导体材料——锗(Ge),接着,在1958年前后,人们又对化合物半导体——锑化铟(InSb)、砷化铟(InAs)进行了大量的研究,并制成了较为满意的元件。
这时霍尔效应以及它所具有的广泛的应用才受到了人们普遍的重视。
扩展资料:
霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。一般用于电机中测定转子转速,如录像机的磁鼓,电脑中的散热风扇等;是一种基于霍尔效应的磁传感器,已发展成一个品种多样的磁传感器产品族,并已得到广泛的应用。
霍尔元件是一种基于霍尔效应的器件,它可以见到到磁场的变化,这个特性使得它应用广泛。以滑盖手机为例,当手机盖侧的磁铁靠近手机侧的霍尔元件时,会产生霍尔电压,然后进行放大给手机的CUP处理,比如关闭屏幕等动作。
参考资料来源:百度百科- 霍尔元件
从原理看:
VH=KHIB
KH称为灵敏度。单位为mV/(mA.G)
实际的霍尔元件,通常分为开关型或线性型两种,开关型一般不标称灵敏度。线性型通常电流I由内部电路决定。因此,灵敏度的定义发生了变化。
VH=KHB。单位变为mV/G
一般在1~5mV/G,假设供电电流为10mA,也可转变为:
KH=0.1~0.5mV/(mA.G)