场效应管的工作原理是什么？

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名

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一、场效应管知识_结型场效应管
（一） JFET的结构和特点
什么是场效应管1、结型场效应管的结构

场效应管的结构如图6.18，它是在一块N型半导体的两边杂质扩散出高浓度的P型，用P+表示，形成两个P+N结。N型半导体的两端引出两个电极，分别称为漏极D和源极S。把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也电子）导电。从源极S出发，流向漏极D。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID.。导电沟道是N型的，故称为N沟道结型场效应管。

什么是场效应管2、结型场效应管的特点
① vGS＜0，Ri很高；
② 电压控制器件；
③ 单极性器件；

什么是场效应管3、N沟道结型场效应管JFET的输出特性

在vGS=0时，沟道电阻最小，ID达到最大。

当vGS＜0时，耗尽层变大，沟道电阻变大，相应的ID下降。形成图6.19的特性曲线。

什么是场效应管4、结型场效应管的JFET与BJT的特点比较
(1) 场效应管是电压控制器件：
通过VGS控制iD。从输出特性看，各条不同输出特性曲线的参变量是VGS。在恒流区，iD与VDS基本无关。并通过跨导gm=△iD/△VGS|VDS描述场效应管的放大作用。而晶体管是通过iB控制iC。参变量是iB。放大区，iC与VCE基本无关。通过电流放大系数β=△iC/△iB描述放大作用。
(2)iG=0。，直流、交流Ri都很高。而晶体管b极和e极处于正偏，b～e间Ri较小：几千欧。
(3)场效应管的是一种极性的多子导电（单极型器件），具有噪声小，受外界T及辐射的影响小等特点（温度稳定性好）。
(4)场效应管对称，有时D--S极可互换使用。各项性能基本不受影响。应用时较方便、灵活。但若制造时已将S和衬底连在一起，则D--S不能互换。
(5)场效应管的制造工艺简单，有利于大规模集成，且所占面积小，集成度高。
(6)MOS场效应管Ri高，G极的感应电荷不易泄放。 SiO2层薄，G极与衬底间等效电容很小，感应电荷少量形成高电压，将SiO2击穿而损坏管。存放管子时，应将G--S短接，避免G极悬空。焊接时，烙铁外壳应接地，防止因烙铁漏电而击穿管子。
(7)场效应管的应用
场效应管在恒流区内工作时，当GS电压变化△VGS时，D极电流相应变化△iD。若将△iD通过较大的RL，从RL上取出的△V0=△iDRL，比△VGS大倍，即△VGS得到了放大。场效应管和晶体管一样在电路中可起放大的作用。

二、场效应管知识_MOS型场效应管

JFET的输入电阻可达107欧姆，但就本质而言，这是PN结的反向电阻，而反向偏置时总有反向电流存在，这就限制了在某些工作条件下对阻值的更高。，从制造工艺看，把它高度集成化还比较。

绝缘栅型场效应管由金属 - 氧化物 -半导体场效应管制成，称为Metal-Oxide-Semiconductor，简称为MOSFET，这种场效应管的栅极被绝缘层（例如SiO2）隔离，Ri更高，可达109 欧姆。

MOS管与JFET的不同之处的导电机构和电流控制原理不同。JFET耗尽层的宽度改变导电沟道的宽度来控制ID，OSFET则是半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制电流。

MOS管分为N沟道和P沟道两类, 每一类又分为增强型和耗尽型：
增强型：当VGS=0,无导电沟道,ID＝0
耗尽型：当VGS=0,有导电沟道,ID≠0

场效应管你内部结构，工作原理和电路中的几种用法

很难将明白的
找本模拟电子的书看下就会明白的