你要明白饱和的概念，并不是VGS多少V就会饱和，而是当ID的电流流过漏极负载电阻，而电阻产生的压降略等于电源电压时，就是饱和。
VGS＝3V，电流在8A左右，如果VDS为5V，那负载超过0.625R时就会饱和（8A*0.625R＝5V）。
而此时如果电阻只有0.1R，那电流需要50A才能饱和，那VSG就需要约4V才行。
MOS管的饱和与否，不是只看一个UGS参数，而是要与UDS结合起来看。
如果不考虑击穿特性的话（也就是MOS管的第4个区，雪崩区也就是击穿区，这部分内容要参考《电力电子技术》），那么基本上可以认为，在图右边UGS曲线比较平缓的部分都是恒流区，顺着曲线往左边走，会有一个预夹断点，也就是Uds=Ugs-Ugs(th)，这个点就是可变电阻区和恒流区的分界线，过了这个点就可以认为是可变电阻区了。
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