模拟电路中栅极源级漏极的工作原理是什么

我不知道TFT－LCD是什么型号的场效应管，但是了解场效应管的工作原理。

下图是一个示意图：

可以把场效应管看作一个由电压控制的可变电阻。G极的电压可以改变导电区的截面积从而改变了S－D间的电阻值。（事实上有一些场效应管的S和D极是可以互换使用的，但是效果会有所改变）。

场效应管是电压控制器件，G端只需要电压（－VG→0→＋VG），而不需要电流，所以输入阻抗极大，能达到10MΩ－1MMΩ。实际上是靠电场的感应达到使耗散区变宽变窄来改变阻值的，当导电区被夹断后就基本上不导电了所以可以用作电压控制开关。

场效应管的电压放大原理实际上是改变本身的电阻值从而改变了与负载电阻的分压比，所以电压放大倍数不如普通晶体三极管大。但电流放大倍数极大，因为栅极几乎无电流（甚至绝缘）。

场效应管的性能比晶体三极管的性能稳定，由于输入阻抗极大，所以偶合电容可以非常小，适合制作成大规模集成电路。

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

场效应管MOSFET
栅极(gate electrode)gate，门的意思，中文翻译做栅，栅栏。electrode，电极。
源极(source)source资源，电源，中文翻译为源极。起集电作用的电极。
漏极(drain)drain排出，泄漏，中文翻译为漏极。起发射作用的电极。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

给你推荐一本模拟集成电路的经典入门教材吧，拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》，或者去买本清华或者华科的模拟电子技术基础类的教材，后者简略和容易理解些。