为什么晶体管(n沟道增强型mos)的vg超过vth,源极与漏极之间的基板就会形成薄导电层

2024-12-18 06:57:05
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回答1:

这部分其实在模电书里面写得很清楚了,只是你要反复看书,这部分内容是需要悟出来的。
当UGS从0开始,逐步增大(UGS〉0)的时候,G极会积闹孙聚正电荷,而S与衬底B其实是连在一起的,也就是负极,这时候,衬底里面的空穴(带正电)会被G排斥,逐步远离G极,这样在衬底(P区)里面就形成了以不能移动的负离子为主的耗尽层。当UGS增大后,耗尽层会逐步加宽,同时,由于电场力的吸引,衬底P区中的自由电子开始向G极移动,世顷由于G极与衬底之间有SiO2的绝缘层,因此自由电液返链子并不能达到G极,而是积聚在耗尽层与绝缘层之间,形成一个N型的薄层,也就是反型层(反型层与G极合起来看,类似一个平行板电容)。