P沟道增强型场效应管导通条件

2024-12-30 20:41:55

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回答1：

P沟道增强型场效应管的导通条件是栅极电位低于漏极电位。
栅极电位比漏极电位低得越多，就越趋于导通。一般低于漏极电位15V就可以完全导通。压差太大就会形成栅极击穿。想关闭就要把栅极电位拉回漏极。
结型场效应管只有（耗尽型）；MOS管有（增强型）和（耗尽型）。
增强型：就是UGS=0V时漏源极之间没有导电沟道，只有当UGS>开启电压(N沟道)或UGS<开启电压(P沟道)才可能出现导电沟道。
耗尽型：就是UGS=0V时,漏源极之间存在导电沟道。