场效应管的漏极电流ID是场效应管的输出电流,在漏源电压VDS、栅源电压VGS不为0时,漏极电流ID不为0。
场效应管输出特性曲线分为三个区:可变电阻区、恒流区和击穿区。VDS较小时,场效应管工作在可变电阻区,ID近似随VGS作线性变化。VDS较大时,工作在恒流区,ID保持稳定,不随VGS的变化而改变。当VDS大于某一临界值时,进入击穿区,ID开始迅速增大,场效应管不能正常工作。
场效应晶体管,Field Effect Transistor,简称场效应管,是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。它由多数载流子参与导电,通过栅源电压VGS来控制漏极电流ID,属于电压控制型半导体器件。
看这个ID在什么场合下说了,静态ID是指没信号输入时的D极电流,最大ID是指最大不失真电流。
说明书上的ID是说处于开关状态时的最大电流。