IRF640是N沟道MOS功率管,参数为:18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs。
IRF640属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF640为设计者提供肢做了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。肆羡
TO-220封装的IRF640普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF640得到业内的普遍认可。D2PAK封装的IRF640适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,可说是功率最高,导通阻抗最低。IRF640的D2PAK封装裂饥拍可适应高强度电流的应用。IRF640的TO-262则适用于低端通孔安装。
IRF640是N沟道MOS功率管.
参数为:18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs。迹察
mos管是金属(metal)-氧化物(oxid)-半导体(semiconductor)场好码效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数姿袜茄情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
是N沟道MOS功率管,参数为:18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs。