PN结是如何构成的？

PN结是采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。P是positive的缩写，N是negative的缩写，表明正荷子与负荷子起作用的特点。一块单晶半导体中 ，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。
制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。

p型半导体和n型半导体接触面形成pn结，p区中有大量空穴流向n区并留下负离子，n区中有大量电子流向p区并留下正离子（这部分叫做载流子的扩散），正负离子形成的电场叫做空间电荷区，正离子阻碍电子流走，负离子阻碍空穴流走（这部分叫做载流子的漂移），载流子的扩散与漂移达到动态平衡，所以pn结不加电压下呈电中性。

其实PN结是多电子和缺电子半导体材料的分界面，但多出的电子没有足够大的能量摆脱束缚去复合缺电子的一方，但它们又有向对方运动的趋势，彼此吸引形成“男左女右，谁也不敢先上”的趋势，中间的界线就叫PN结。
但条件改变时就不一样了，如果有人推他们一把，又合乎了他们的心理他们就回疯涌向对方，就来电了。

二极管？由半导体硅中分别渗入镓锗等形成P、N极再组合起来，在交界处就形成PN结……