结型场效应管（JFET），是通过栅与源漏之间形成的PN结来控制实现晶体管源漏之间的导通，具体地说，是通过控制栅与源漏之间形成PN结的耗尽区的宽度，从而实现对漏电流大小的控制。而该耗尽区宽度的控制调整则是与栅电压有关的（与普通PN结反偏的情形类似），具体你可以参见百度百科JFET的介绍。
与JFET不同，MOS管虽然也是通过栅压实现对漏电流的控制，但是它的原理是在栅下方的衬底上表面形成一层反型的积累层，该积累层即为沟道，电流通过沟道流过。
因此，对于N型JFET，栅为P型，若直接在栅源之间施加正电压，器件直接就导通，就起不到电压对电流的控制作用，只能施加适当的方向电压。而对于N型MOS，由于衬底为P型，若想在衬底上方形成积累层，则需在栅源（或栅与衬底，通常衬底与源是短路的）之间施加正电压。因此，JFET与MOS管一般不能直接互换，而应对其电压参数作相应调整，才可保证其功能不变。
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