CPU性能提升并不高,主要是工艺的提升,10nn工艺比高通820 821 14nn工艺更好,工艺好主要体现在功耗上,发热量比821更小,耗电上比821更省电,这才是重点。
骁龙835性能
1.制造工艺
高通骁龙835芯片基于三星10nm制造工艺打造。10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%,效率提升40%,高通骁龙835芯片面积将变得更小。
2016年10月,三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比,三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上,同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺,骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸,让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间,以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合,预计将会提升电池续航。
2.快速充电
新的骁龙835处理器,支持Quick Charge 4快速充电,比起Quick Charge 3.0,其充电速度提升20%,充电效率提升30%。另外其具备更小的芯片尺寸,能为手机厂商提供更灵活的内部空间设计。
3.效率提升
目前高通并未公布骁龙835的更多信息,但表示10nm工艺将会带来更好的性能,提升功率效率,作为对比高通骁龙820基于14nm制造工艺打造。
CPU性能提升并不高 主要是工艺的提升 10nn工艺比高通820 821 14nn工艺更好 工艺好主要体现在功耗上 发热量比821更小 耗电上比821更省电 这才是重点