几个CCD问题 急！！！

8. 电荷耦合器件（CCD）中，如下哪种结构的器件工作速度高？即：1）N型沟道的CCD；2）P型沟道的CCD。为什么？
N型沟道的工作速度高；因为电子的迁移率比空穴的高，器件中的电荷可以更快地通过沟道进行泄放，实现电平状态的改变。

9. 电荷耦合器件（CCD）中，为什么在栅极电压相同下不同氧化层厚度的MOS结构形成的势阱存储电荷的容量不同？氧化层厚度越薄的存储电荷容量越大？
在栅压一定的情况下，氧化层厚度越薄，氧化层电容越大，储存的电荷量也就越大。
10. 为什么二相线阵列CCD电极结构中的信号电荷能在二相驱动脉冲的驱动下进行定向转移，而三相线阵列CCD必须在三相交叠脉冲作用下才能进行定向转移？
因为二相CCD像素上的电极形状不是对称的，故在电极上加一个电压，坐落在沟道上的电压是不均匀的（不是等势面），即构建的势垒是阶梯状的，电容上的点荷包可仅凭借一个电极构造出的电势差实现转移，而且在前一个高电压的电极恢复低电平后，不会出现电荷倒流。
而三相CCD像素上的电极形状均匀，需要在两个电极上加不同的电压时点荷包才会开始转移，而且必须在点荷包转移到第三个电极处后再恢复第一个电极的电平，否则会造成电荷的逆流。
(仅限交流讨论，多加自己思考)

http://www.doc88.com/p-774868580929.html 打开这个网站有几个相关的题型，但是还不全，求大神补充，每次看到专业课都想撕书。

18个问题只有5个知道大概，留个记号，一起等高人。

一起等，一起等，带我一个。。。

那么多问题，才5分，谁来回答啊？