首先说明的是此图肯定是错误的。按他的意图读写都是低电平有效来理解的话,图中最上面的那两个与非门,应该改成或门。且M/IO这个管脚应该是高电平有效。
设M/IO为高电平。图中,当IOR和IOW分别有效(为0)时,此时MEMR和MEMW分别有效(为0);当ADDR16-19中有任意一根地址线为0时,那个四输入的与门输出0,此时不管IOR和IOW为1还是0,IOR和IOW都为1,即不能访问IO设备。但此时MEMR和MEMW是不受影响的,即在0x00000-0xEFFFF区间,MEMR=RD,MEMW = WR ,也就是说此时访问的是Memory。
当ADDR16-19都为1时,此时那个四输入的与门输出1,且有IOR=RD,IOW = WR ,此时访问的是IO设备。其地址范围是0xF0000-0xFFFFF。
明白了吧。
注意,在0xF0000-0xFFFFF区间,Memory和IO设备地址是重叠的。自己理解下。