半导体中 空穴电流的问题

1、首先本征半导体的空穴浓度和电子浓度是相等的；在符合条件（1）和其他有源器件和无源器件构成回路和条件（2）电子激发下，激发的电子成为载流子，在电路中移动，注意本征半导体中的空穴并不能移动。该激发的电子形成了回路的电路。宏观上，热激发和“电子和空穴的复合”在同时进行，达到“动态平衡”，但一定会有“成为载流子”的电子在回路中移动。
2、对于P型半导体来说，其本身还是呈“中性的”，只是“可与电子配对的自由空穴”较多，在外电场的作用下，会动态的“拉外部电子”，当拉到一定数量的电子，内部的电场会迫使该“P型半导体”不再多拉电子，达到动态平衡。另外硅的共价键是不很稳定，所以它常用来做半导体。P型半导体是有掺杂叁价元素的，硅原子少了一个电子，这个电子转移到了三价元素的空穴上，这说明的是空穴的移动。

半导体中空穴和电子的运动方向相反，但电流方向是一样的（因为空穴正电荷，电子负电荷），因此总的电流是它们的代数和。
本证半导体中电子和空穴浓度的确一样，电流方向也是一样的，但二者的电流大小不同，电子产生的电流通常比空穴大，因为电流的大小不仅与载流子浓度有关，还与迁移率（运动的快慢）有关。
我就是研究半导体的

我们平时说的电流的方向是正电源流向负电其时真实情况是电源负极电子向正极运动的结果 所谓空穴就是物质原子内的介电子脱离介子键的束缚力后留下的空位 如果1234代表左边的价电子 现在4跑到右边了 就成了1230 ，现在3也跑到右了就成了1200 ，2跑到在成1000 。结果看起来是0向左边移动了即空穴向左移动了。但其时它并不动 但形成的电流却是向左边的（电子不断向左边填充电子）所以半导体不但有N向P结运动的电子电流 还有电子流走后空穴回填的电流 NP总电流=电子电流+空穴电流

相反说的是它们的运动方向相反。
P型半导体就是加入了三价元素，其实不带电正负平衡，也就是多了一个空穴，所以能导电啊。再加入电压得时候，也就是在电流的反方向给了它一个电子，所以电子能补充到它的空穴中并且一点一点的移动，所以也就相当于空穴往反方向运动了。所以就导电了。

空穴移动方向与电子移动方向是相反的。空穴流因电子流而存在，仅是电子跃迁后留下的空位。P型半导体内多子是空穴，其电流为空穴流，非电子流。即P型半导体里面不产生自由电子（跃迁电子所处的能级远小于导带底能级），因此没有电子电流。

空穴的替补：是价电子获得少量热能后在晶体中运动，替补相近的空穴。

负离子本来就是固定不动的。（P型半导体）三价元素较容易得到电子，故难失去，形成共价键后相对稳定。相对而言，硅硅共价键则相对容易失去电子，产生空穴。