真空镀膜机的原理

说来话长，简单点的话就是：阴极被激发的电子在电场作用下加速飞向衬底基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和二次电子，二次电子飞向衬底基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在衬底上形成薄膜。二次电子在加速飞向衬底的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面做圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断地与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后二次电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，
最终沉积在衬底上

主要利用辉光放电(glow discharge)将氩气(Ar)离子撞击靶材(target)表面, 靶材的原子被弹出而堆积在基板表面形成薄膜。
下列固态物质皆可为靶材 (Target) ：任何常温固态金属 ( 铜、铝、钛 )固态非金属 ( 石墨 , 氧化硅 ( SiO2 )合金 ( 不锈钢 （ SUS )金属氧化物 ( 氧化钛、氧化铟 ) 。
注：
一般金属镀膜大都采用直流（DC）溅镀，而不导电的陶瓷材料则使用RF交流

真空镀膜机按镀膜方式主要可分为：蒸发式镀膜，磁控溅射镀膜和离子镀。
蒸发镀膜工作原理是将膜材置于真空镀膜室内，通过蒸发源加热使其蒸发，当蒸发分子的平均自由程大于真空镀膜室的线性尺寸，蒸汽的原子和分子从蒸发源表面逸出后，很少受到其他分子或原子的冲击与阻碍，可直接到达被镀的基片表面，由于基片温度较低，便凝结其上而成膜。
磁控溅射镀膜是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片，Ar正离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜。
离子镀的工作原理是：蒸发源接阳极，工件接阴极，当通以三至五千伏高压直流电以后，蒸发源与工件之间产生弧光放电。由于真空罩内充有惰性氩气，在放电电场作用下部分氩气被电离，从而在阴极工件周围形成一等离子暗区。带正电荷的氩离子受阴极负高压的吸引，猛烈地轰击工件表面，致使工件表层粒子和脏物被轰溅抛出，从而使工件待镀表面得到了充分的离子轰击清洗。随后，接通蒸发源交流电源，蒸发料粒子熔化蒸发，进入辉光放电区并被电离。带正电荷的蒸发料离子，在阴极吸引下，随同氩离子一同冲向工件，当抛镀于工件表面上的蒸发料离子超过溅失离子的数量时，则逐渐堆积形成一层牢固粘附于工件表面的镀层。

一、电控柜的操作
1.
开水泵、气源
2.
开总电源
3.
开维持泵、真空计电源，真空计档位置V1位置，等待其值小于10后，再进入下一步操作。约需5分钟。
4.
开机械泵、予抽，开涡轮分子泵电源、启动，真空计开关换到V2位置，抽到小于2为止，约需20分钟。
5.
观察涡轮分子泵读数到达250以后，关予抽，开前机和高阀继续抽真空，抽真空到达一定程度后才能开右边的高真空表头，观察真空度。真空到达2×10-3以后才能开电子枪电源。
二、DEF-6B电子枪电源柜的操作
1.
总电源
2.
同时开电子枪控制Ⅰ和电子枪控制Ⅱ电源:按电子枪控制Ⅰ电源、延时开关，延时、电源及保护灯亮，三分钟后延时及保护灯灭，若后门未关好或水流继电器有故障，保护灯会常亮。
3.
开高压，高压会达到10KV以上，调节束流可到200mA左右，帘栅为20V/100mA，灯丝电流1.2A，偏转电流在1~1.7之间摆动。
三、关机顺序
1.
关高真空表头、关分子泵。
2.
待分子泵显示到50时，依次关高阀、前级、机械泵，这期间约需40分钟。
3.
到50以下时，再关维持泵。

你这问题太大了。。。。

简单的话就是把膜料弄到基底上。这里就包括溅射、用电子枪打等方式不同的镀膜机是不同的。
真空的目的是让分子的平均自由程更大，就是避免膜料分子不会碰到空气分子。