不是越大越好,因为死区时间大会带来输出波形的失真及降低输出效率。
桥臂直通是指两个串联的电力电子开关器件同时导通,如果两端有电压,将导致直流电源短路,损坏桥臂功率器件。上下桥臂直通是指同侧的两个MOS管。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(N沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压Mos管。
你是用MOS管搭H桥吧,上下桥臂直通是指同侧的两个MOS管,同侧两个MOS管一旦直通就会把两个MOS管烧掉,点子背的话还会把驱动顺带着烧掉,加死去可以防止,只要一点就够,太大输出的波形就失真了,或者你驱动芯片用IR2110,这个芯片自带死区的,很好用