我来帮你回答这个问题。
要得到低表面浓度又要保持相同的方阻，最重要的要明白表面浓度和结深决定方阻的大小，方法还是有的。
1.方法一：
做普通的扩散，将方阻做到120~150ohm；后去PSG ，再将这些硅片放入炉子中氧化，氧化的温度和时间可以决定表面浓度和结深。最后清洗表面的SiO2就等到你想要的结果；
2.方法二：
这种方法也很简单，但不能详细说明，你知道的？在沉积POCl3前通入大量的氧气（具体细节不便透露氧气的量，温度），在进行正常的扩散工艺。这样也可以得到低表面浓度。
回答完毕!
扩散就抓住三个要素，时间、温度和浓度。扩散时间设计好，扩散温度不可过高，过高就可使方阻变大，三氯氧磷的浓度的控制，只有把这三个关系相互结合就能做到最好的效果。
我感觉楼上好像回答了，又好像什么都没说呀，不过话说楼主这个问题也问得有点那啥。。。。这个问题一直是各公司想做到的。。。。
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