三极管的三个电极的电流中E最大,B最小,E跟C相近。
对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)。
当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散。
但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流子。
扩展资料
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。
电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。
也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
由于集电结外加反向电压很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。
另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流,用Icbo来表示,其数值很小,但对温度却异常敏感。
参考资料来源:百度百科-晶体三极管
如果是 PNP 型,则正极接发射极,负极接集电极,中间一定要串联限流电阻,如果有微弱的电流 Ieb 从发射极流向基极,则发射极和集电极会流过 Iec=βIeb,β 为三极管的交流放大倍数。此时发射极电位最高,集电极最低。
在这个过程中,发射极始终为公共端。
如果是 NPN 型,则正极接集电极,负极接发射极,如果有微弱的电流 Ibe 从发射极流向基极,则发射极和集电极会流过 Ice=βIeb。此时集电极电位最高,发射极最低。
这个过程中,发射机仍然终为公共端,只是从集电极流向公共端发射极的电流 Ice 始终等于 β 倍的从基极流向公共端发射极的电流 Ieb,而在 PNP 型中,这个电流方向与此相反,因为电源亦与此相反。
三极管工作于放大状态始终不变的条件“发射结正偏,集电结反偏”。