锗磁敏晶体管的发射极e一侧用喷砂方法损伤一层晶格,设置载流子
复合速率很大的高复合区r,而在硅磁敏晶体管中未设置高复合区。锗磁
敏晶体管具有板条状结构，集电区和发射区分别设置在板条的两面,而
基极b设置在另一侧面上。硅磁敏晶体管具有平面结构，基极均设置在硅
片表面。磁敏晶体管的一个主要特点是基区宽度W大于载流扩散长度,因此
它的共发射极电流放大系数小于1，无电流增益能力。另外,发射极-基区-基
极是N PP 型或P NN 型长二极管,即N PP 型或P NN 型磁敏二极管。因此
，磁敏晶体管是在磁敏二极管的基础上设计的长基区晶体管。
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