Vce——C、E间电压，sat——饱和（saturation），因此Vcesat指饱和时集电极-发射极之间的电压。同理Vbesat指饱和时基极-发射极之间的电压。
三极管的特性曲线图分为四个区：饱和区、放大区、截止区、击穿区。一般讨论比较多的是前三个区。
三极管的的工作点进入饱和区，三极管就进入饱和状态。三极管进入饱和状态还分深度饱和之说。可以这样理解：三极管进入饱和区失去线性放大作用时可以认为三极管处于饱和状态（Q1）；三极管完全推动放大作用时三极管处于深度饱和状态（Q3）。
关于三极管的饱和压降Vce（sat）是有重要条件的，就是在一定的IB和IC的条件下的Vce（sat）。
在三极管的参数表给出的数据也是在一定条件下的数值（图中是S8050的Vce(sat)的数据）：
在图中还可以看出，当负载电阻很大（ic很小时）Vce(sat)的数值就很小，甚至小于0.1V。
直流参数，交流参数，极限参数
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