无论PN节加什么偏压，载流子都要参与漂移运动和扩散运动，只是看哪种运动占主导。当PN节加正向偏压时，P正N负，耗尽层减小，N区的电子在电场作用下漂移到P区，P区的空穴漂移到N区。同时，由于P区的空穴浓度大于N区空穴的浓度，因此P区的空穴也会扩散到N区，N区电子浓度大于P区电子浓度，N区电子扩散到P区。在正向偏压下，漂移电流远大于扩散电流，而在反向偏压下，扩散电流要远大于漂移电流。
正偏和反偏pn结的电流，都主要是少数载流子的扩散电流，不是漂移电流！这是器件物理的基本概念。若感兴趣的话，可参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。
正向电压下，多子扩散，少子飘移。
对P区而言：空穴为多子，对N区而言：自由电子为多子
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