内存条二代三代的区别

二代内存：DDR2
三代内存：DDR3
当然是3 代内存好了，相对二代内存有很多技术优势：
1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。　　
2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。　　
3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
以上只是主要的，还有其它的就不说了，总之既然是新一代的，肯定好于前者吧。现在DDR3内存开始成为主流，装机要DDR3平台的。
667／800等指的是内存等效频率（不是内存实际工艺频率），DDR2内存一般默认频率只有800MHZ，但也有达到1066的，只是很少（多是超频版）。而DDR3内存都是1066MHZ以上，目前默认频率最高可达2000MHZ以上，提供更高带宽。

ddr2与ddr的区别：
在了解ddr2内存诸多新技术前，先让我们看一组ddr和ddr2技术对比的数据。
1、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，ddr2的实际工作频率是ddr的两倍。这得益于ddr2内存拥有两倍于标准ddr内存的4bit预读取能力。换句话说，虽然ddr2和ddr一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但ddr2拥有两倍于ddr的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100mhz的工作频率下，ddr的实际频率为200mhz，而ddr2则可以达到400mhz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的ddr和ddr2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，ddr
200和ddr2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，ddr2-400和ddr
400具有相同的带宽，它们都是3.2gb/s，但是ddr400的核心工作频率是200mhz，而ddr2-400的核心工作频率是100mhz，也就是说ddr2-400的延迟要高于ddr400。
2、封装和发热量：
ddr2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于ddr的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，ddr2可以获得更快的频率提升，突破标准ddr的400mhz限制。
ddr内存通常采用tsop芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200mhz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是ddr的核心频率很难突破275mhz的原因。而ddr2内存均采用fbga封装形式。不同于目前广泛应用的tsop封装形式，fbga封装提供了更好的电气性能与散热性，为ddr2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
ddr2内存采用1.8v电压，相对于ddr标准的2.5v，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
ddr2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，ddr2还引入了三项新的技术，它们是ocd、odt和post
cas。
ocd（off-chip
driver）：也就是所谓的离线驱动调整，ddr
ii通过ocd可以提高信号的完整性。ddr
ii通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用ocd通过减少dq-dqs的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
odt：odt是内建核心的终结电阻器。我们知道使用ddr
sdram的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。ddr2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用ddr2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是ddr不能比拟的。
post
cas：它是为了提高ddr
ii内存的利用效率而设定的。在post
cas操作中，cas信号（读写/命令）能够被插到ras信号后面的一个时钟周期，cas命令可以在附加延迟（additive
latency）后面保持有效。原来的trcd（ras到cas和延迟）被al（additive
latency）所取代，al可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于cas信号放在了ras信号后面一个时钟周期，因此act和cas信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，ddr2采用了诸多的新技术，改善了ddr的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。