这是别人的回答：
电场强度等于：掺杂浓度*宽度（e=nd*w）
电势差等于：电场强度*宽度
所以：电势差等于掺杂浓度*宽度的平方。
产生的电势差一样时，高掺杂的掺杂浓度大，所以耗尽层宽度窄。
我觉得也可以这么理解，高掺杂就好像我们加上了正向电压，正向电压会与内部接触电场相抵消，这也是正向导通的的原理，所以浓度高，建立起的耗尽层宽度也就窄了。（个人观点）
这是一个关于器件物理的问题，建议去参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。
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