IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
双极器件，在保持很高的阻断电压的同时，正向开启阳极注入孔穴及阴极注入的电子在漂移区积累使得导通电阻大幅降低，从而获得较低的正向压降；正向导通时载流子在漂移区的大量积累也导致了关断时间的增加，这也是IGBT优化的主要方向之一。
MOS
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