首先Ube一般比较小,所以两个图的上端肯定是c。上图的|Ube|是0.7,下图的是0.2,硅管的Uon比锗管高,所以上图为硅管,下图为锗。
上图:如果左端为b,管子为NPN,那么发射结正偏,集电结反偏,Ube>Uon,符合放大工作条件。反过来,如果左端为e,管子为PNP,发射结正偏,集电结也是正偏,饱和状态。
晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。
参考资料:百度百科-晶体管
三极管放大状态: 第二个电压看不清,C极电压好像不对。
Uc>>Ub>Ue,Ub-Ue=0.7V(锗管0.3V)NPN管
Uc<
貌似是模拟第四版71页 ^_^ 话说,你这书纸好薄,背面贼清楚。
Ube一般比较小,所以两个图的上端肯定是c。上图的|Ube|是0.7,下图是0.2,硅管的Uon比锗管高,所以上图为硅管,下图为锗。
上图:如果左端为b,管子为NPN,那么发射结正偏,集电结反偏,Ube>Uon,符合放大工作条件。反过来,如果左端为e,管子为PNP,发射结正偏,集电结也是正偏,饱和状态。
下图类似,如果左端为b,那么两个结都是正偏,不符合放大状态的条件。