通电时电压不稳定，造成MOS内部烧坏，造成开路问题；
电压过大G的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使GS或者GD短路！电流过大，容易熔断金属化薄膜铝条，造成G开路或者是S开路!
都可能发生
两种都有
半导体特征：过压损坏多半开路过流损坏多半短路
