场效应管的截止条件？

当然不能导通了。
场效应管的导通条件是，栅源电压（UGS，栅极与源极之间的电压差，万用表红笔接栅极，黑笔接源极，万用表显示的就是栅源电压，不是栅极对地电压）至少大于开启电压（2-4V），也就是说，源极是19V的话，栅极电压至少要在21-23V以上才导通。
PS:我建议你还是先看一下简单的电路基础，有电平、电势这样的概念后再看模电这样的东西。

　　截止区的条件：只要Ugs小于开启电压即可。
　　场效应管一般工作在开关状态，即在饱和和截止区之间转换。
　　具体要求一般是：
　　栅极（G）与源极（S）之间的电压高于开启电压（Ugs(th)，场效应管的datasheet里面有，一般是2-4V），又小于8V左右时，漏源电压（UDS）小于漏源击穿电压（BUDS）时，场效应管可以工作在饱和区。
　　场效应管
　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
　　场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
　　由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
　　FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。
　　参考资料：
　　场效应管_百度百科
　　http://baike.baidu.com/link?url=Ykg_Va1EB22h1L9Jjl4NtVqoDlQZ9lRmMjM0hMsNK8hx3YMhmDSbyZQa1nYRrp8nlW18UHocpWN8H_fDSp3rV_#2

你得告诉别人你用的是P沟道还是N沟道场效应管，如果你用的是P沟道的话，那就是正常的，因为P沟道就是高电平截止的