碳化硅晶体的结构是什么样的 一个晶胞内有几个碳原子

碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-SiC和立方体的β-SiC（称立方碳化硅)。碳化硅晶体一个晶胞内有4个碳原子和4个Si原子。α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。

碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好。低品级碳化硅（含SiC约85%）是极好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。

扩展资料：

碳化硅的应用领域包括：功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料。

1、可作为磨料，可用来做磨具，如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。

2、可作为冶金脱氧剂和耐高温材料。

3、作为高纯度的单晶，可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。

参考资料来源：百度百科-碳化硅

碳化硅晶体和金刚石一样，是原子晶体，空间网状结构，见下图。

一个C与四个Si一形成正四面体结构,一个晶胞内有4个碳原子和4个Si原子。

SiC作为C和Si唯一稳定的化合物，其晶格结构由致密排列的两个亚晶格组成，每个si(或c)原子与周边包围的C(si)原子通过定向的强四面体SP3键结合，虽然SiC的四面体键很强，但层错形成能量却很低，这一特点决定了SiC的多型体现象，已经发现SiC具有250多种多型体，每种多型体的C/Si双原子层的堆垛次序不同。最常见的多型体为立方密排的3C-SIC和六角密排的4H、6H-SiC。不同的多型体具有不同的电学性能与光学性能。SiC的禁带宽度为Si的2-3倍，热导率约为Si的4.4倍，临界击穿电场约为Si的8倍，电子的饱和漂移速度为Si的2倍。SiC的这些性能使其成为高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件的优选材料，可用于地面核反应堆系统的监控、原油勘探、环境监测及航空、航天、雷达、通讯系统和大功率的电子转换器及汽车马达等领域的极端环境中。另外，采用SiC所制备的发光二极管的辐射波长可以覆盖从蓝光到紫光的波段，在光信息显示系统及光集成电路等领域中具有广阔的应用前景。

碳化硅晶体和金刚石一样,是原子晶体,空间网状结构,一个C与四个Si一形成正四面体结构,一个晶胞内有4个碳原子和4个Si原子.

碳化硅晶体和金刚石一样,是原子晶体,空间网状结构,一个C与四个Si一形成正四面体结构,一个晶胞内有4个碳原子和4个Si原子.

碳化硅的结构，类似于金刚石，或者，硅，这两者都属于原子晶体。而碳化硅，相当与金刚石中碳周围的四个碳原子被硅原子取代。原理一样的，表现为熔沸点都较高，硬度大。一般分子晶体，熔沸点都比较低的。