MOS管H桥驱动问题~

我的这个电路工作非常好啊，场效应管直接驱动 在栅极5V驱动的情况下，场效应管的PDF资料上显示，应该可以导通几十安培，我一直都用这个电路做项目，参数是调试过的，上桥臂常ON，下桥臂PWM（频率最好不要超过10KHZ） 效果灰常好，驱动几A的小电机完全没事，不用加散热片

你用的IRF540或者IRF054吧？ 首先，我觉得，用5V给栅极，他就不会导通，因为它导通需要在10V左右。其次，你说导通后漏源极电压相等这也是正确的，而且它导通是要考虑Vgs，就像三极管的Vbe一样，导通之后Vbe（Vgs）依然是不变的，因为栅极和源极间是一个反向PN结（因此导通电压较BJT高些），导通时该PN结反向击穿，通过你上面说的100电阻到地，压降还是那么多。另外我觉得你应该在MOS前用一个BJT作为前级驱动，5V是不能行的,你要是想要一个驱动电路原型的话我可以免费给你提供原理图，包括N-MOS和P-MOS的。我的邮箱yangfei0508@163.com

用
IRF540或者IRF054吧
首先
我觉
用5V给栅极
导通
导通需要
10V左右
其
说导通
漏源极电压相等
确
且
导通
要考虑Vgs
像三极管
Vbe
导通
Vbe（Vgs）依
变
栅极
源极间
反向PN结（
导通电压较BJT高些）
导通
该PN结反向击穿
通
面说
100电阻
压降
另外我觉
应该
MOS前用
BJT作
前级驱
5V
能行
,
要
想要
驱
电路原型
我
免费给
提供原理图
包括N-MOS
P-MOS
我
邮箱yangfei0508@163.com

场效应管组成的H桥驱动电路