快恢复二极管是什么？

快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。

结构特点：快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。

快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。

结构组成：

二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。

采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。

由P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。

以上内容参考：百度百科-二极管

快恢复二极管（简称FRD）是一种开关特性好、反向恢复时间短的半导体二极管。主要用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路。使用续流二极管或阻尼二极管。快恢复二极管的内部结构不同于普通的PN结二极管。属于PIN结二极管。即在P型硅材料和N型硅材料之间增加基区I，形成PIN硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷少，所以快恢复二极管的反向恢复时间短，正向压降小，反向击穿电压（耐压）高。

ES1J

萨科微SLKOR快恢复二极管的速率再35ns至500ns之间，包括ES1J、US1M等多个型号。快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，在P型和N型硅材料之间增加了基区I，形成P-I-N硅片。由于基区非常薄，反向恢复电荷非常小，不仅trr值显着降低，而且瞬态正向压降降低，管子可以承受很高的反向工作电压。快恢复二极管典型的反向恢复时间为数百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流为几安到几千安，反向峰值电压为几百到几千伏.可能达到。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步降低，其trr可以降低到几十纳秒。大多数低于 20A 的快恢复和超快恢复二极管都封装在 TO-220 中。从内部结构来看，可分为单管和双管（也叫双管）两种。这对管子内部是两个快速恢复二极管。根据两个二极管的连接方式不同，有共阴极对管和共阳极对管。

快恢复二极管：可理解为快速二极管，高频二极管，通常用在开关电源做整流二极管，逆变电路做续流、反压吸收二极管。二极管是单PN结半导体器件，具有单向导电特性，当施加正向电压时导通、反向电压时截止。当电压翻转，二极管从正向导电转换为反向截止状态需要一段时间才能完成，这段时间称为反向恢复时间。根据芯片工艺不同，反向恢复时间也不同，通常分为四大类： 1、普通整流二极管，反向恢复时间大于 500nS（纳秒）； 2、快恢复整流二极管，反向恢复时间 150-500nS（纳秒）； 3、高效率整流二极管，反向恢复时间 50-100nS（纳秒）； 4、超快速整流二极管，反向恢复时间 15-35nS（纳秒）； 5、肖特基整流二极管，理论上无反向恢复时间，实际小于 10nS（纳秒）。

来吧，让油柑网的阿柑君来发个言：对于这个快恢复二极管来说，它的内部所具有的结构跟普通的PN结二极管是有着不同的区别的。这个快恢复二极管是PIN结型的二极管类型，也就是说在P型的硅跟N型的硅材料里面，增加了一个基区I，这样就构成了PIN硅片。由于基区是相对比较薄的，所以相应的反向恢复的电荷还是相对较小的。我们从上面的介绍知道，快恢复二极管具有很短的反向恢复时间，它的正向压降还是比较低的，相应的反向击穿电压还是比较高的。

简单说吧，快恢复二极管就是速度快，用在高频电路中，高频就是频率很高，普通二极管速度不够快而不能用，比如4007二极管用在高频电路就会发热，因为它速度慢，可能会出现电压低，电流小，或者损坏