p-n结是怎么回事

【p－n结】在一块半导体中，掺入施主杂质(以硅为例，在高纯硅的一端掺入一点点硼、铝、镓等杂质就是p型半导体。在另一端掺入一点点磷、砷、锑等杂质就是n型半导体），使其中一部分成为n型半导体。其余部分掺入受主杂质而成为p型半导体， 单纯的一片p型或n型半导体，仅仅是导电能力增强了，但还不具备半导体器件所要求的各种特性。如果在一块n型（或p型）半导体上在制成一层p型(或n型)半导体，于是在p型半导体和n型半导体的交界处就会形成一个pn结。 当p型半导体和n型半导体“结合”在一起时，由于p型半导体的空穴浓度高，自由电子的浓度低；而n型半导体的自由电子浓度高，空穴浓度低，所以交界面两侧的载流子在浓度上形成了很大的差别。这是就在交界面附近产生了多数载流子的扩散运动。所谓扩散运动，就是载流子由浓度高的地方向浓度低的地方运动，即p区的多数载流子（空穴）向n区扩散，同时n区的多数载流子（电子）向p区扩散。随着扩散运动的进行，在p区和n区的交界面p区一侧出现一层带负电的粒子区（这是不能移动的电荷）；而在交界面n区一侧出现一层带正电的粒子区。这样，在交界面的两侧就形成了一个空间电荷区。

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P是positive （阳极，正电荷）的缩写，N是negative（阴极，负电荷）的缩写
PN结的简单解释：一个由P型和N型半导体材料组成的半导体器件，其P 型 与 N型半导体材料相互结合的部分（过渡区）称为PN结。
P型半导体材料的简单解释：在“单晶硅”材料中，通过特殊工艺掺入少量的三价元素，使单晶硅内部形成“带正电的空穴”（正电荷）；
N型半导体材料的简单解释：在“单晶硅”材料中，通过特殊工艺掺入少量的五价元素，使单晶硅内部形成“带负电的自由电子”（负电荷）。
至于什么是三价元素、五价元素，请查阅相关化学资料，在此不作复述。
PN结形成过程的简单解释：
P型材料有着多数可以移动的正电荷 和 少数固定不动的负电荷（负离子）；N型材料有着多数可以移动的负电荷 和 少数固定不动的正电荷（正离子）
当P型和N型材料接触时，通过结合处，正电荷从P型半导体向N型半导体扩散，负电荷从N型半导体向P型半导体扩散。正电荷 与 负电荷相遇而结合，原有的正电荷和负电荷（载流子）消失。因此在结合处的附近区域（结区）中有一段距离缺少正电荷或负电荷（载流子），却有分布在这一区域的带电的固定电荷（固定不动的“负离子”或固定不动的“正离子”），称为空间电荷区 。P 型半导体一边的没有参与扩散的“负离子” ，N 型半导体一边的没有参与扩散的“正离子”，在空间电荷区产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。