判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道。
判定源极S、漏极D:在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。
mos管,即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
用一般指针表R*10K挡不但能测出好坏还能测出大致性能但要注意以下几点
1,有些MOS管在D、S , G、S二极间接有反向二极管必需加以区别如二极正反向均通则必坏无疑。故能以该法找出S极
2,如表笔接DS二极并极性对应以手指接触黑表棒及G极可见管子导通当手指离开还可维侍导通数秒(以上抗指N增强型)。
3,如以元珠笔等塑料摩擦头发使之带电靠近G极也有如此反应但切勿接触以免损坏
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