200分内存型号怎么认的

从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SPDinfo这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM内存标注格式

（1）1.0---1.2版本

这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1.2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

（2）1.2b+版本

其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式

威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。

PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式

其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。

4、RDRAM 内存标注格式

其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。

5、各厂商内存芯片编号

内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。

由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号。

（1）HYUNDAI（现代）

现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。

（3）Kingmax(胜创)

Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。

Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。

KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵风金条)

金邦金条分为'金、红、绿、银、蓝'五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。

金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32

其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13

FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V

Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。

三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用'S'后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。

三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA

Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA

三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 = 128m/16K[7.8μs]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64m/4K (15.6μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP

Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。

（6）Micron（美光）

Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j

其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四类：

（A）DRAM

-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns

SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）

-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，- 65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz

DDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率 @ CL=2.5

-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz

（B）Rambus（时钟率）

-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns

+的含义

-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）

-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）

-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）

-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）

-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）

-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。

例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns〔PC100 CL 3〕，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-Ⅱ；JF=54-pin TSOPⅡ；JH=86-pin TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab为容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz〔PC66规格〕）。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8ns〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。

EDO DRAM(Extended Data Output RAM)，扩展数据输出内存，是Micron公司的专利技术，有72线和168线之分，5V电压，带宽32bit，基本速率40ns以上。 EDO RAM 是在传统 FPRAM (Fast Page RAM) 中改进过来, 运作上主要系假定下一次的存取地址都是与上一次连续, 然后准备定资料 (这是假设用户的资料多数是 sequential 的), 这样便能把 memory throughput 由 FPRAM 的最高 176MB/s 提升到 EDO RAM 的最高 264MB/s, 于 1993 年后 EDO RAM 便开始取代 FPRAM 的位置

静态随机存取内存 (Static Random Access Memory, SRAM) 是半导体内存的一种, 属随机存取内存 (RAM) 一类。所谓的「静态」, 是指这种内存只要保持通电, 里面储存的资讯就可以恒常保持。相对之下, 动态随机存取内存（DRAM）里面所储存的资料就需要周期性地更新。然而, 当电力供应停止时, 其内储存的资料还是会消失, 这与在断电后还能储存资料的 ROM 或快闪存储器仍然是不同的。

SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）的简称，是前几年普遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与 EDO内存相比速度能提高50％。SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备，通过这两个存储阵列的紧密切换，读取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不仅可用作主存，在显示卡上的显存方面也有广泛应用。SDRAM曾经是长时间使用的主流内存，从430TX芯片组到845芯片组都支持SDRAM。但随着DDR SDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市场。

DDR双通道同步动态随机存储器（双通道同步动态随机存取内存）即DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) 为具有双倍资料传输率之SDRAM，其资料传输速度为系统时脉之两倍，由于速度增加，其传输效能优于传统的SDRAM。

由于传统SDRAM在运作时，一个单位时间内只能读/写一次，当同时需要读取和写入时，便要等其中一个动作完成才能继续进行下一个动作。而DDR SDRAM则解决这项缺点，由于读取和写入可以在一个单位时间内进行，因此效能便会提升两倍，这也便是为何DDR SDRAM的时脉要「自动乘以二」的缘故。
JEDEC为DDR存储器设立了速度规范，并分为了以下两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。
规格（记忆芯片）
DDR-200: DDR-SDRAM 记忆芯片在100 MHz下运行
DDR-266: DDR-SDRAM 记忆芯片在133 MHz下运行
DDR-333: DDR-SDRAM 记忆芯片在166 MHz下运行
DDR-400: DDR-SDRAM 记忆芯片在200 MHz下运行(JEDEC制定的DDR最高规格)
DDR-500: DDR-SDRAM 记忆芯片在250 MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格)
DDR-600: DDR-SDRAM 记忆芯片在300 MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格)
DDR-700: DDR-SDRAM 记忆芯片在350 MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格)
DDR-700的例子(产品):Patriot PDC1G5600ELK

[编辑] 规格 （芯片模块）
PC-1600内存模块指工作在100 MHz下的DDR-200内存芯片，其拥有1.600 MegaByte/s的带宽
PC-2100内存模块指工作在133 MHz下的DDR-266内存芯片，其拥有2.133 MegaByte/s的带宽
PC-2700内存模块指工作在166 MHz下的DDR-333内存芯片，其拥有2.667 MegaByte/s的带宽
PC-3200内存模块指工作在200 MHz下的DDR-400内存芯片，其拥有3.200 MegaByte/s的带宽

DDR2第二代双倍数据率同步动态随机访问内存（Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般称为 DDR2 SDRAM），是一种计算机内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR SDRAM（双倍数据率同步动态随机访问内存）的后继者，也是现时流行的内存产品。

JEDEC为DDR存储器设立了速度规，并分为了以下两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。
规格（记忆芯片）
DDR2-400：DDR2-SDRAM 记忆片在200 MHz下运行
DDR2-533：DDR2-SDRAM 记忆芯片在266 MHz下运行
DDR2-667：DDR2-SDRAM 记忆芯片在333 MHz下运行
DDR2-800：DDR2-SDRAM 记忆芯片在400 MHz下运行
DDR2-1000：DDR2-SDRAM 记忆芯片在500 MHz下运行
DDR2-1066：DDR2-SDRAM 记忆芯片在533 MHz下运行
现时有售的DDR2-SDRAM已能达到DDR2-1200，但必须在高电压下运作，以维持其稳定性。

DDR3显存可以看作是DDR2的改进版，二者有很多相同之处，例如采用1.8V标准电压、主要采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式。不过DDR3核心有所改进：DDR3显存采用0.11微米生产工艺，耗电量较DDR2明显降低。此外，DDR3显存采用了“Pseudo Open Drain”接口技术，只要电压合适，显示芯片可直接支持DDR3显存。当然，显存颗粒较长的延迟时间(CAS latency)一直是高频率显存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS latency为5/6/7/8，相比之下DDR2为3/4/5。客观地说，DDR3相对于DDR2在技术上并无突飞猛进的进步，但DDR3的性能优势仍比较明显：

(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。
(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。
目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。

RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory（存储器总线式动态随机存储器）的简称，是Rambus公司开发的具有系统带宽、芯片到芯片接口设计的内存，它能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传输数据，同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。最开始支持RDRAM的是英特尔820芯片组，后来又有840，850芯片组等等。RDRAM最初得到了英特尔的大力支持，但由于其高昂的价格以及Rambus公司的专利许可限制，一直未能成为市场主流，其地位被相对廉价而性能同样出色的DDR SDRAM迅速取代，市场份额很小。

每种型号的插口都是一样的，只是有了个一代二代的说法，支持二代的可以用一代的内存，仅支持一代的也能插二代的内存，但是二代的性能就发挥不出来了，主要的不同就是频率上，以前的一代是400的频率，现在二代的有533，667，800，要说认的话内存上会标出来的，第几代还有频率都会写出来的，如果你想加内存你可以把原来的拔下来拿到电脑店去叫店员帮你拿个相同频率的，你想装机的话现在一般都是二代了，二代的读取速度比一代的快

现在市面上能见到的内存：
1 815/810 VIA694时代之前 PC100/133/150 S D内存 特点是内存与主板接触金手指上面有俩个豁口。
2 DDR 1代 266/333/400 内存 数字指的是 内存运行的频率。 DDR1主要作用在845/865/915 NF3/NF4 VIAKT400/KT600时代。DDR1 内存184个针脚。金手指一个缺口。
3 DDR 2代 这是现阶段主流使用内存。由于工艺进步 颗粒大规模生产。价格非常便宜 同DDR1一样。DDR2 频率也分为 533/667/800 频率越高。相应性能会稍微高点。
DDR2代内存 240个针脚 也是一个缺口。不过可以从颗粒上分辨1代与2代 1代颗粒为长方形。2代颗粒较小。呈4方形。
4 从07年开始 已经有内存厂家开始量产DDR3代内存。DDR3内存 频率起点就是1066。不过由于颗粒产量低。导致价格虚高。现阶段主板是X48才开始支持。

希望我的回答可以帮助你更好的了解各种内存的分辨。

一、一代内存184针
二、二三代内存240针
现在用的大部分是二代、三代的，一代的逐渐淘汰，所以价格飙升，二代内存06年夏开始流行，要支持二代内存的主板才行
3.一代内存还有好多主板只支持一代的再用，DDR333，400
二代内存前端总线：533，667，800都是只总线频率，越大越好
买内存时关键是两点：一内存前端总线 533 667 这些；再有就是内存大小 其他的常人很少关注，因为各生产商工艺大同小异