TOP222Y可以用什么代换

1、TOP222Y可用TOP223－227代替。

2、TOP222Y和TOP223－227管脚排列一样，功能一样。

3、TOP222Y和TOP223－227耐压都为700V，开关频率都可达110KHZ。

4、TOP223－227截断电流为1．15A，TOP222Y为0．55A。

扩展资料：

在n型半导体中，在电压激励下，磷被加入以取代高纯硅中的一些硅原子而产生自由电子传导，而P是正的，这意味着硼被加入以取代硅而产生大量空穴以促进传导。除电源极性不同外，两者的工作原理相同。以下仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

NPN管由两个n型半导体和一个p型半导体组成。发射区与基极区之间形成的PN结称为发射结，集电极区与基极区之间形成的PN结称为集电极结。这三个引线分别称为发射极e（Emitter）、基极b（Base）和集电极c（Collector）。

1、TOP222Y可用TOP223－227代替。

2、TOP222Y和TOP223－227管脚排列一样，功能一样。

3、TOP222Y和TOP223－227耐压都为700V，开关频率都可达110KHZ。

4、TOP223－227截断电流为1．15A，TOP222Y为0．55A。

扩展资料：

工作原理：理论原理。

晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管，而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative）。

对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b （Base）和集电极c （Collector）。

1、TOP222Y可用TOP223-227代替。

2、TOP222Y和TOP223-227管脚排列一样，功能一样。

3、TOP222Y和TOP223-227耐压都为700V，开关频率都可达110KHZ。

4、TOP223-227截断电流为1.15A，TOP222Y为0.55A。

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。

扩展资料：

工作原理：理论原理。

晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative）。

N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。

参考资料来源：百度百科-三极管

TOP222Y与TOP223－复227的基本参数与封装类型都相同，TOP222Y和TOP223－227管脚排列一，因此TOP222Y与TOP223－复227可以相互进行代换。

TOP223－227与TOP222Y的截断电流数值基本相同，耐压都为700V，开关频率都可达110KHZ，因为TOP223－227与TOP222Y进行代换在参数上面相对合适。

扩展资料：

TOP222Y的特点：

1、最低成本和最少元器件数量的开关解决方案。 

2. 与线性电源相比在输出功率5W以上的电路中最具竞争优势。

3、具有非常低的AC/DC变换损耗，转换的效率高达90%。

4、芯片内部集成了自动复位启动和限流功能电路。

5、为了实现系统的安全保护，芯片内部还具有一个触发式热关断电器。

6、可构成反激式、正激式、升压式或降压式拓扑电路。

　　1，TOP222Y可用TOP223-227代替。

　　2，TOP222Y和TOP223-227管脚排列一样，功能一样。

　　3，TOP222Y和TOP223-227耐压都为700V，开关频率都可达110KHZ。
　　4，TOP223-227截断电流为1.15A，TOP222Y为0.55A。

　　三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。