二极管正向电阻与反向电阻差异很大，其物理原因是什么？

主要原因：在二极管中有一个PN结。

1、外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。

2、外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。

扩展资料：

点接触型二极管，按正向和反向特性分类如下：

1、一般用点接触型二极管：这种二极管通常被使用于检波和整流电路中，是正向和反向特性既不特别好，也不特别坏的中间产品。

2、高反向耐压点接触型二极管：最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品。使用于高压电路的检波和整流。这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般。

3、高反向电阻点接触型二极管：正向电压特性和一般用二极管相同。虽然其反方向耐压也是特别地高，但反向电流小，因此其特长是反向电阻高。

4、高传导点接触型二极管：与高反向电阻型相反。其反向特性尽管很差，但使正向电阻变得足够小。对高传导点接触型二极管而言，有SD56、1N56A等等。

参考资料来源：百度百科-二极管

因为反向时电压会升高，正、反电阻的大小是相对而言的，反向电阻要远远大于正向电阻。当外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。

一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。

扩展资料：

反向电阻的测量注意事项：

黑表笔接二极管的负端，把红表笔接二极管的正端，这时二极管受到反向电压的作用，表上的读数即为二极管的反向阻值。二极管反向电阻愈大愈好，一般在500 KΩ以上。如果反向电阻为零，说明二极管内部已经短路了。

测量反向电阻时，要注意不可把人体电阻并联到二极管上，以免造成测量误差，为此，要求至少有一只手不与二极管的管脚接触。二极管的反向电阻R反与正向电阻R正的比值越大，说明二极管单向导电性越好。这个比值一般可达1000以上。

需要指出，同一个二极管用不同的表或者用不同的档位进行测量，所得到的数据可能不同。这是因为二极管是非线性元件，加在二极管上的电压不同，它所呈现的电阻值也不同。

参考资料来源：百度百科-正向电阻

参考资料来源：百度百科-二极管

在二极管中有一个PN结，它是载流子扩散后形成的，这个结形成后会建立一个反向电场。
该电场的方向从P指向N，相当于二极管的阴极指向阳极。
当正向测量时（正极接P，负极接N），测量电压形成的电场必须大于结电场，对于硅管，通常电压要高于0.7V左右，才会测出比较小的电阻。
当反向测量时（正极接N，负极接P），测量电压形成的电场与结电场同方向，加强的电场会完全阻止电子的流动，这时就会测出比较大的电阻。