NPN,三极管饱和时候的一点问题，求解答

应该按照书上给的式子更容易理解：Ic=βIb，Ic会随Ib的增加而增加的，要注意的是：集电极与发射极电压Vce是等于电源电压Vcc减去集电极电阻上的电压Rc*Ic得到的（Vce=Vcc-Rc*Ic），当Rc*Ic大到使得“Vce小到基极和集电极之间电势差为0或者基极与集电极之间正偏时“，视为饱和，这时集电极与发射极之间电压Vce已经非常小了（0.3V）相当于短路了，即使再增加基极电流Vce都无法再小，当然Ic也就无法增加了，一般基极与发射极之间电压Vbe为0.7V，而Vce可以到0.3V，所以基极与集电极之间会正偏的，而且电流也会由B流向C，这种情况应该避免。

你的理解前大半都正确，饱和时，集电极电流达到了最大值，集电极电阻上的压降VRc接近VCC。具体以NPN硅管解释，Vcc=VRc+Vce，这时的Vce仅有0.3V左右，小于Vbe，所以基极与集电极之间是正偏的。只是0.3远小于0.7 但远还不到导通的压差。

这样理解比较合适，可以认为C集是一个电子流通道，通道上均匀的分布电子，当饱和的时候，可以认为C集通道完全打开了，放大状态只有部分打开，完全打开后通道两侧电阻近似为0

好像你没必要理解这么深吧，如果不是学微电子的，可以深学，要是直接用，知道饱和，截止，放大区的物理意义及其区别，注意，不是所有的知识都要学，而是要术业有专攻。

从理论上说，不管是NPN还是PNP都是空穴导电的，而不是电子、、、

“NPN三极管饱和”电流导通已到极点（不能再大了）