判断管子，关键是要理清楚符号，场效应管有6个不同类型（NJFET、PJFET、增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS、耗尽型PMOS），符号，特性都不同，这部分只能靠记（多看看熟了也行）。
工作状态分析比较麻烦，要计算UDS，UGS，UDG的值，然后分析，具体数值关系看一下童诗白的《模拟电子技术基础》第四版。
如果场效应管不导通，就不会有电流流经电阻Rs，那么 Us=0，则此时 Ugs=10V >Ugs(th)，所以，场效应管会导通；导通后就存在 Us，并保证 Ugs>Ugs(th)，不然就不会导通了。
扩展资料：
加入电容的作用：
1、使输入电压均匀化，减小噪声对后级的影响。
2、进行储能，当外界信号变化过快时，及时进行电压的补偿。比如CPU电平的变化是非常的快的，VCC可能来不及供电，这时电容就能及时供能（图中C4，使输出平稳，不易受外界影响）
去耦（退耦）电容的作用
1、去耦电容和旁路电容的作用是差不多的，都有滤除干扰信号的作用，只是旁路电容针对的是输入信号，而去耦电容针对的是输出信号。
2、去耦电容一般比较大10uF或更大，旁路电容一般根据谐振频率是0.1uF或0.01uF。
参考资料来源：百度百科 ——场效应管
场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时。
如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。
绝缘栅型场效应管利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。
扩展资料
场效应管属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管（FET）利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
与双极型晶体管相比，场效应管具有如下（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。它利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数。
场效应管的抗辐射能力强；由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
参考资料来源：百度百科-场效应
参考资料来源：百度百科-场效应管
场效应管按结构可分为结型场效应管（缩写为JFET）和绝缘栅场效应管（缩写为JGFET），从导电方式看，场效应管分为N型沟道型与P型沟道型。绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两种，而JFET只有耗尽型。
一、基本结构
场效应管是利用改变电场来控制半导体材料的导电特性，不是像三极管那样用电流控制PN结的电流。因此，场效应管可以工作在极高的频率和较大的功率。此外，场效应管的制作工艺简单，是集成电路的基本单元。
场效应管有结型和绝缘栅型两种主要类型。每种类型的场效应管都有栅极g、源极s和漏极d三个工作电极，同时，每种类型的场效应管都有N沟道和P沟道两种导电结构。
绝缘栅型场效应管又叫做MOS管。根据在外加电压Vgs=0时是否存在导电沟道，绝缘栅场效应管又可分为上增强型和耗尽型。增强型MOS管在外加电压Vgs=0时不存在导电沟道，而耗尽型MOS的氧化绝缘层中加入了大量的正离子，即使在Vgs=0时也存在导电沟道。
N沟道绝缘栅型
g为栅极，s为源极，d为漏极，B衬底
结型场效应管的结构与绝缘栅场效应管的结构基本相同，主要的区别在于栅极g与通道半导体之间没有绝缘。
N沟道和P沟道结型
从场效应管的基本结构可以看出，无论是绝缘栅型还是结型，场效应管都是两个背靠背的PN结。电流通路不是由PN结形成的，而是依靠漏极d和源极s之间半导体的导电状态来决定的。
额，这个我也忘的差不多了，只记得PMOS和NMOS了，至于工作状态，应该是看集电极的电位高低吧，不行了，学过的全还给老师了，我得回家翻翻书去了~~~
判断管子，关键是要理清楚符号，场效应管有6个不同类型（NJFET、PJFET、增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS、耗尽型PMOS），符号，特性都不同，这部分只能靠记（多看看熟了也行）。
工作状态分析比较麻烦，要计算UDS，UGS，UDG的值，然后分析，具体数值关系你看一下童诗白的《模拟电子技术基础》第四版。
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