Anisotropic Etch 主要是在etch的时候对材料的各个方向的腐蚀速度不一样~比如说硅，用KOH对100向和110向的硅蚀刻的时候，速度就完全不一样~100会快很多~
Dry etch的话，主要是将一些气体电离成离子态，然后用电磁加速打向目标，与目标材料反应~
其实我觉得你说的这两个东西其实不是一个横向可比的东西。。
etch可以根据腐蚀是否有方向性分为 Anisotropic 和 Isotropic两种。
如果以用作蚀刻的材料来分，可以分为wet（比如上面说的KOH）和dry（典型是RIE，Reactive Ion Etch）两种。
如果硬要比的话，dry etch要比anisotropic etch好，因为dry etch可以提供一个非常好的side wall~就是说蚀刻后的那个洞的内壁和底部可以做到几乎垂直~不过具体效果要看dry etch的方法和材料以及目标材料~
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