仔细看看双向可控硅的符号，你的图上面的是T2，下面的是T1，G接到DB3
当电压上正下负时，电阻个C1充电也是上正下负，C1上电压达到能击穿DB3时，DB3上的电压减小（负阻特性），产生由G到T1的可控硅触发电流。
当电压下正上负时，过程和上面一样，值不过C1上的电压是反的，可控硅的触发电流的方向也是反的。
