为什么mos管的源极与衬底极都是连着的

1、防止有电流从衬底流向流向源极和导电沟道，这里是防止衬底与源极的PN结导通，导通了的话，就会有电流从衬底的低掺杂的P型硅片流向源极的高掺杂N+区。
2、将衬底与源极相连接，两者的电位就相同了，没有正向压降，两者间的PN结就不会导通，从而就不会有电流流过PN结。
3、也可以不连接衬底与源极，但是要保证衬—源之间电压U（BS）使衬—源之间PN结反向偏置。这样也不会有电流从衬底经过PN结流向源极。
你自己再把书仔仔细细看看，这问题问老师，估计会挨骂。

http://zhidao.baidu.com/question/491759966.html

以NMOS为例：
当NMOS直接做在P型衬底上时，为了防止衬底与源漏的PN结正偏导通，衬底要接最低电位，对单个MOS而言，衬底和源可以直接相连；但如果是在集成电路里面，所有MOS管的衬底都接了最低电位，但源端可能不是接最低电位，这时源和衬底就是不连一起的，这时就会出现衬偏效应，导致阈值电压飘移，变得比衬源相连时更大，所以其实我们是希望衬源相连的，只是有时候没法这么做。
在现在双阱CMOS工艺中，NMOS做在P型阱里面，阱就相当于NMOS的衬底，由于阱与阱之间是隔离的，所以电位可以不相同，这时，所有NMOS的衬源就可以直接相接了