电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详细点

GTO既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过GTR，只是工作频率比GTR低。目前，GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。

单管GTR饱和压降VCES低，开关速度稍快，但是电流增益β小，电流容量小，驱动功率大，用于较小容量的逆变电路。

MOSFET优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。
IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

GTO具有自关断能力，但所需驱动电流和驱动功率较大。
GTR具有自关断能力，除所需驱动电流和驱动功率较大外，工作电压和电流与其它器件相比较低。有二次击穿现象。
MOSFET开关速度快，驱动功率小，但工作电压低，尤其是栅极控制电压一般不超过20V。
IGBT具有GTR和MOSFET的优点，工作电压高，工作电流大，驱动功率小，开关速度快（可达20KHz）。但栅极控制电压一般也在20V以下。

建议找本书系统的看看，很多方面不同，各有优缺点

可以不过给我分哦先给