在霍尔效应测磁场中，若根据I,B,V的方向,如何确定所用样品是N型还是P型半导体

当磁场方向穿过手心，四指方向为电流方向，拇指为电场方向，拇指指向负电荷一侧，此时为P型半导体，空穴型。若方向正好相反，则为N型半导体，也是电子型。

判断通电导线处于磁场中时，所受安培力 F （或运动）的方向、磁感应强度B的方向以及通电导体棒的电流I三者方向之间的关系的定律。

根据U=KIB，如果电压表为负数，则灵敏度K<0，电子导电，N型半导体；如果电压表为正数，K>0，空穴导电，P型半导体。

解释：

在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场，电场力与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集，此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力，使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移，这个现象称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。

以上内容参考：百度百科-霍尔效应

先设定I,B,V的参考正方向：例如设定I从左向右为正，B垂直纸面向内为正，正电荷向上偏转，则V从下向上为正。然后将测量仪器按参考正方向连接。电流表要左边接红表笔，右边接黑表笔，电压表要下表面接红表笔，上表面接黑表笔。 然后将I，B均调为正，观察电压表的正负。根据U=KIB，如果电压表为负数，则灵敏度K<0，电子导电，N型半导体；如果电压表为正数，K>0，空穴导电，P型半导体。

对于n型半导体，载流子是电子，其在磁场中所受到的洛伦兹力使部分电子聚集到半导体中垂直于电流和磁场方向的一侧（根据安培左手定则安培力所指方向即为载流子聚集侧，假设为a侧），则对侧会感应出等量的异种电荷，形成霍尔电场Uab<0；对于p型半导体，其载流子为等效于正电子的空穴，假设磁场和电流方向与n型半导体相同，则在刚才电子聚集的位置汇集空穴，对侧感应出等量的负电荷，形成霍尔电场Uab>0。故在已知电流和磁场的方向下情况下，根据霍尔电压的正负即可区分p、n型半导体。

亲，你是哪个学校的，咱们貌似用的一样的实验书。