你说的太笼统了，首先，如果是平台电压高的话，可以吧占空比设计大一些可以减小副边二极管的反向电压，同时原边mos管的电压升高；如果是尖峰电压高的话，首先，副边二极管采用超快恢复或者肖特基会好一些；其次，变压器绕制工艺做好一些；如果输出电压很高的话建议采用碳化硅二极管整流，或者做成DCM工作方式。当然如果输出功率有比较大的情况下还是考虑采用LLC拓扑吧。
反激电源本身就是利用反向电压来工作的，何来反压高！只有正激才有削尖峰电路。
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