超级电容一般用于耗电极小的芯片做记忆保持用，也就是代替记忆茄和电池的作用，因此它的关键参数是容量、漏电和耐压，至于阻罩纳物抗，一般不影响使用，高点低点物液无所谓的。
内阻要低，阻抗在高频电路才有影响，充电不影响
还是越低越好，如果是电化学超级电容，阻抗对充放电还是有影响的
你是指内阻吗？如果是，那么越低越好，因为超级电容一般是大电流输出，内阻越低，氏雀好输出功率越高，岁碧损耗越小，歼铅温升越低
