霍尔元件灵敏度他们之间的单位换算

在磁场不太强时，霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比，与霍尔片的厚度b成反比，即UH =RH*I*B/b，式中的RH称为霍尔系数。

磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。

当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈极强的霍尔效应。

扩展资料：

由于通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。

利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不和被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。

一般开关型的霍尔灵敏度是指原件本身的磁开启和关闭点，表示的单位大多为两种，高斯（Gauss）与毫特斯拉（mT），10Gauss=1mT
线性霍尔的灵敏度是指单位磁场变化时其输出电压的变化，一般用毫伏/高斯（mV/Gauss）或者毫伏/毫特斯拉（mV/mT）表示，换算参照开关型

霍尔器件的灵敏度k是常数；其单位为：V/(A.T).