电焊机场效应管和IGBT有什么区别

单管IGBT属于绝缘门极晶体管 ，第四代逆变技术。相对MOS管皮实耐用，MOS场效应管，属于第三代逆变技术。多个MOS管串联，其中一个炸管其他全炸。

效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction
FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

IGBT外观和场效应管差不多，但更强悍！可以使用于很大电流的场合！

IGBT更强大。因为场效应管主要是靠导电层的夹断来控制导通和关段的，容易击穿和静电危机。。但是IGBT是绝缘栅双极晶体管一般场效应管的优点它都有

IGBT可控性好，过载性好，性能稳定，当然价格也高。它的定位就是工业机型。一般在400以上。现在有不少单管IGBT的焊机，价格跟MOS管的差不多。
MOS管的性能不太稳定，MOS管价格低，早期焊机电弧软，没有挺度。它的定位是民用机型。一般是一些小机型。
不过国外一些MOS管焊机性能相当好。
一个模块早期七八百，现在也要三四百，MOS管几毛几块钱。

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