IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
一般来说，使用合适的IGBT模块作为逆变功率器件的焊机可靠性会稍高一些。
IGBT是一个特殊的大功率三极管，是场效应管与结型三极管的组合体，使用在比较大的直流输出场合。
瑞凌
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